靶材提纯方法

靶材提纯方法

在VLSI的制造过程中重复使用的溅射过程是一种物理气相沉积（PVD）技术，并且是制备电子薄膜材料的主要技术之一。

欧凯的目标指出，溅射过程中离子源产生的离子被加速并在高真空中积聚，形成高速能量离子束，轰击固体表面，并且在离子之间发生动能交换。固体表面原子。固体表面上的原子离开固体，并沉积在基材表面上。被轰击的固体是用于通过溅射方法沉积薄膜的原材料，被称为溅射靶。

溅射靶材的种类很多，甚至相同材料的溅射靶材也具有不同的规格。根据不同的分类方法，溅射靶可分为不同的类别。主要分类如下：

按形状分类：长目标，方形目标，圆形目标

按化学成分分类：金属靶材（纯金属铝，钛，铜，钽等），合金靶材（镍铬合金，镍钴合金等），陶瓷靶材（氧化物，硅化物，碳化物），硫化物等）

按应用领域分类：半导体芯片目标，平板显示器目标，太阳能电池目标，信息存储目标，I修改目标，电子设备目标，其他目标。

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